氮化鋁陶瓷基片是什么簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),氮化鋁陶瓷 (Aluminum Nitride Ceramic)是以氮化鋁(AIN)為主晶相的陶瓷,將它制作基片,想象一下,電路板里面的底層基座就是它啦!氮化鋁陶瓷現(xiàn)在在市場(chǎng)上也有一定的發(fā)展空間,氮化鋁陶瓷可以應(yīng)用到航空航天領(lǐng)域和衛(wèi)星支架上以及火箭、防彈、裝甲上。鈞杰陶瓷是一家專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)特種陶瓷和特種陶瓷加工的廠家。公司現(xiàn)有自己的專(zhuān)業(yè)技術(shù)團(tuán)隊(duì),并與多家科研機(jī)構(gòu)及高等院校建立了密切的產(chǎn)學(xué)科研合作關(guān)系。鈞杰陶瓷常年致力于從事特種陶瓷材料的技術(shù)開(kāi)發(fā)、產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造以及現(xiàn)場(chǎng)施工,確保為用戶(hù)提供優(yōu)質(zhì)的特種陶瓷防腐材料及工程服務(wù)。咨詢(xún)鈞杰陶瓷聯(lián)系電話(huà):134 128 56568。
1、氮化鋁(AlN)陶瓷基片是一種新型的基片材料,具有優(yōu)異的電性能、力學(xué)性能以及熱性能,其熱導(dǎo)率高(約320W/m?K)、介電常數(shù)低(約為8.8)、擁有與硅Si(3.5~4×10-6℃)相匹配的熱膨脹系數(shù)(4.5×10-6℃)、電阻率高(>1014Ω?cm)、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高(1.4×107V/cm)、比重低(理論密度3.26g/cm3)、機(jī)械強(qiáng)度高(抗彎強(qiáng)度300-400MPa)、無(wú)毒,是理想的大規(guī)模集成電路散熱基板和封裝材料。.
除此之外,氮化鋁陶瓷基板不含有機(jī)成分,銅層不含氧化層,對(duì)熔融金屬有優(yōu)良的耐腐蝕特殊性,使用壽命長(zhǎng),可在還原性氣氛中長(zhǎng)期使用,在國(guó)防、航空航天、通訊、微電子等領(lǐng)域內(nèi)應(yīng)用前景十分廣闊。
2、然而,制作難點(diǎn)來(lái)了
由于AlN是以共價(jià)鍵結(jié)合為主的化合物,自擴(kuò)散系數(shù)小, 難以燒結(jié)致密,所以AlN的燒結(jié)工藝是基片材料制作過(guò)程中的一處難點(diǎn)。氮化鋁陶瓷的燒結(jié)主要需要注意以下幾點(diǎn),首先是升溫速率、燒結(jié)溫度和保溫時(shí)間,這些高性能陶瓷的燒結(jié)溫度一般在1800~1900℃,其次要選擇合適的保護(hù)氣氛防止AlN氧化,燒結(jié)過(guò)程必須要隔絕氧氣,在氣氛環(huán)境中進(jìn)行,因?yàn)檠鯕獯嬖跁?huì)增加熱變電阻和降低熱傳導(dǎo)性。最后還要確保燒結(jié)設(shè)備有很好的溫度均勻性。
3、優(yōu)秀的燒結(jié)爐出現(xiàn)!
Carbolite?Gero(卡博萊特?蓋羅)在國(guó)內(nèi)外氮化鋁陶瓷燒結(jié)方面有非常廣泛的客戶(hù)群體和成熟的工藝技術(shù),可為氮化鋁陶瓷燒結(jié)提供溫度高達(dá)2200℃的箱式爐(HTK系列)和鐘罩爐(HBO系列)。
該爐子的防輻射隔熱屏蔽材料和加熱元件是同一材質(zhì),沒(méi)有纖維保溫材料,所以可達(dá)到高真空度和純凈的氣氛環(huán)境(纖維材料會(huì)有孔隙),保證了燒結(jié)工藝在高溫下的安全性。Carbolite?Gero還可保證高純度氣氛環(huán)境(>6N)和高真空度。根據(jù)要求提供氫氣分壓以及還原或有毒氣體的認(rèn)證安全管理。用于質(zhì)量控制的數(shù)據(jù)記錄。另外,加熱元件的合理分布、三區(qū)控溫?zé)峒夹g(shù)以及氣氛預(yù)熱保證了設(shè)備良好的溫度均勻性。除此之外,爐體可自動(dòng)升降,過(guò)程十分平穩(wěn),確保樣品不受震動(dòng)的影響。
為了滿(mǎn)足AlN 陶瓷燒結(jié)應(yīng)用,Carbolite Gero 提供了高溫氣氛爐,帶完整的氫氣系統(tǒng)并配備了一個(gè)二級(jí)旋片泵。金屬鎢保溫材料和鎢加熱元件。為了提高使用區(qū)域的溫度均勻性,采用三區(qū)加熱。系統(tǒng)可在室溫~2200℃范圍內(nèi)使用100%純氫氣或者氫氣與氮?dú)獾幕旌蠚怏w。因?yàn)闅錃獾膽?yīng)用,爐子增加了整套安全裝置。