隨著科技的發(fā)展,半導(dǎo)體領(lǐng)域的用途也越來越廣,半導(dǎo)體對材料的要求也越來越高,從第一代的硅、鍺為代表,再到第二代打砷化鎵、磷化銦,以及現(xiàn)在的第三代半導(dǎo)體碳化硅陶瓷、氮化鎵陶瓷、氧化鋅陶瓷、金剛石陶瓷、氮化鋁陶瓷等。今天我們就來講講其中之一,氮化鋁陶瓷作為第三代半導(dǎo)體材料它比第二帶半導(dǎo)體材料要求更多,第二代只是要求有較好的電子遷移、帶隙等要求。而第三代的要求更多如更加優(yōu)異的電子遷移率、寬帶隙、擊穿電壓、高頻等要求。第三代半導(dǎo)體材料有著寬禁帶,全組分直接帶隙。與前兩代半導(dǎo)體材料相比,更寬的禁帶寬度讓材料在更高的溫度、電壓以及開關(guān)頻率下運(yùn)行。
根據(jù)這些要求,它對特性的要求更高,如高溫、高頻、高導(dǎo)熱、高強(qiáng)度等,而氮化鋁則正好滿足這些特性。高導(dǎo)熱讓氮化鋁陶瓷可以達(dá)到230W/m·K,讓它在散熱領(lǐng)域有著廣泛的前景,寬禁帶讓氮化鋁陶瓷有著很高的擊穿電場,一般用于高壓器械類,源于氮化鋁陶瓷的特性,一般用在光電器件、功率器件和射頻器件等。因此作用與各種高性能半導(dǎo)體設(shè)備,這也讓氮化鋁陶瓷在半導(dǎo)體領(lǐng)域的地位直線上升。
發(fā)展前景
伴隨著5G的開發(fā)對于技術(shù)、材料的依賴會越來越高,這也會促進(jìn)材料的開發(fā)使之進(jìn)步。讓其能有巨大的變動。如功率器件能有更高效的都充電器,電源開關(guān)等,在比如在射頻器械,用于高性能射頻設(shè)備如濾波器等,總而言之氮化鋁是第三代半導(dǎo)體陶瓷材料,作為第三代半導(dǎo)體材料是有很高的潛力的。
總結(jié)
那如何選一個合格的氮化鋁陶瓷結(jié)構(gòu)件呢?我們鈞杰陶瓷是一家專注于氮化鋁陶瓷結(jié)構(gòu)件的加工廠家,與多家知名企業(yè)有著深厚的合作,如華為等等,對于氮化鋁陶瓷有著豐富的加個案例,滿足你的任何加工需求,保證讓你滿意。